Исследование CVD слоев SiC имплантированных ионами алюминия
Карбид кремния является одним из наиболее радиационно-стойких полупроводников, перспективных для использования в экстремальных условиях при повышенных уровнях радиации, температуры и химической активности - в космической электронике, различных ядерно-энергетических установках, при контроле делящихся материалов и как инертный разбавитель композитного ядерного топлива. С учетом возможного широкого спектра применения подобных радиационно-стойких приборов необходимо детальное изучение воздействия различных высокоэнергетических частиц на структурные изменения, электрические и оптические свойства в карбиде кремния. Цель данной работы определение изменения структуры и свойств пленок карбида кремния после имплантации ионами алюминия и после высокотемпературного отжига.
Преподаватель: Иванова Екатерина Владимировна
Исследование структуры слоев в многослойных решетках Мо/Si методом ПЭМ
В данной работе исследуются зеркала для рентгеновского излучения (1nm<λ<40nm) на основе многослойных решеток Mo/Si. Отражающая способность этих зеркал зависит от характеристик напыленных слоев, которые должны быть определены с высокой точностью.
Исследования проводятся методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и рентгеновской дифракции для определения главных параметров: количество и величину периода в сверхрешетке, толщины слоев кремния и молибдена, однородность слоев, наличие включений кристаллической фазы и протяженных дефектов в структуре. Элементный состав образцов проводится методом рентгеноспектрального микроанализа.
Преподаватель: Ситникова Алла Алексеевна
Изучение свойств субмикронной углеродной плёнки, полученной методом термического распыления
В данной работе предлагается исследовать углеродную плёнку, наносимую на диэлектрический объект методом термического распыления. Нанесение углеродной (или металлической) плёнки на диэлектрик необходимо, чтобы обеспечить сток заряда при электронно-зондовых исследованиях (таких как РЭМ, РСМА, КЛ). При этом плёнка неминуемо оказывает влияние на результаты исследований (например, уменьшает интенсивность люминесценции), хотя без нанесения плёнки электронно-зондовые исследования были бы почти невозможны. Вносимая погрешность зависит от свойств плёнки.
Целью работы является изучение свойств субмикронной углеродной плёнки на поверхности твердотельного объекта, а так же её влияния на электронно-зондовые методы исследования, в частности РСМА и КЛ.
Преподаватель: Трофимов Александр Никитович
Изучение оптических и структурных свойств гетероструктуры на основе III-N
Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы находят широкое применение при разработке оптоэлектронных устройств видимого и ультрафиолетового диапазонов. Однако, несмотря на успешное коммерческое производство устройств на основе III-N, полного понимания физических процессов в нитридах еще нет. Целью данной работы является изучение влияния структурных свойств гетероструктуры InGaN-GaN на ее оптические параметры.
Преподаватель: Кузнецова Яна Вениаминовна
Исследование структур из различных политипов карбида кремния
Карбид кремния является одним из перспективных материалов, обладающий большим количеством структурных политипов, которые различаются по своим свойствам. В данной работе исследуются структуры карбида кремния состоящие из подложки из 6H-политипа с выращенным на ней слоем 3C-политипа. Этот слой 3С-политпа представляет собой интерес как затравка для роста объемного материала, кроме того возможны квантовые эффекты на интерфейсе слоев 3C и 6H, которые были предсказаны теоретически. Целью данной работы является разносторонняя диагностика выращенных структур методами катодолюминесценции, просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции.
Преподаватель: Шустов Денис Борисович
