Лаборатория наноэлектроники

Лаборатория является одной из старейших лабораторий Академического университета. Уникальный парк научного оборудования лаборатории включает в себя установки, как исследовательского класса, так и промышленного типа с групповой загрузкой пластин. Это позволяет решать широкий круг задач не только фундаментального, но и при- кладного характера. При этом основное внимание уделяется исследованиям в области физики полупроводниковых на- ноструктур на основе A3B5 соединений, разработке технологий их синтеза с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии, теоретическому моделированию процессов их формирования и свойств, их диагностике и созданию на их основе новой элементной базы электроники. В том числе, в лаборатории ведется разработка методов эпитаксиального роста полупроводниковых наноструктур:

— на основе А3N соединений (с использованием плазменной активации азота на различных подложках);

— гетероструктур на основе GaAs (решёточно-согласованных, псевдоморфных и метаморфных).

Также ведутся исследования по интеграции полупроводниковых структур A3B5 с кремнием, основным полупроводниковым материалом современной электроники.

Были разработаны технические условия для выпуска псевдоморфных гетероструктур на подложках GaAs и InP для создания приборов СВЧ-электроники. Кроме того, в лаборатории ведутся работы в области теории дифракции, которые привели к созданию пакета компьютерных программ PCGrate® используемого для разработки и аттестации спектральных приборов международных космических станций: Hubble Space Telescope, Solar-B (Hinode), Constellation-X (IXO), аппаратура Кортес на МКС.

ПЭМ изображение поперечного скола гетероструктуры квантово-каскадного лазера	СЭМ изображение поперечного скола гетероструктуры вертикально- излучающего лазера с оксидированной апертурой

Исследования и разработки осуществляются в сотрудничестве с ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Институтом физики полупроводников Сибирского отделения РАН, МИЭТ, АО «НПП «Исток» им. Шокина», ПАО «Микрон», АО «НПП «Салют», Фондом «Сколково», Сколковским институтом науки и технологий, а также с целым рядом зарубежных научных центров и университетов.

Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 21 EB 200	Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Veeco GEN 200