Центр нанотехнологий
Центр высшего образования
Центр общего образования
Зав. лабораторией
чл.-корр. РАН
А.Е. Жуков

2016

2016 год

Статьи

 

  1. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, T. Slight, W. Meredith, N. Yu. Gordeev, A. M. Nadtochy, A. S. Payusov, M. V. Maximov, S. A. Blokhin, A. A. Blokhin, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, and K. D. Choquette, Passive Cavity Surface–Emitting Lasers: Option of Temperature–Insensitive Lasing Wavelength for Uncooled Dense Wavelength Division Multiplexing Systems, Proc. of SPIE Vol. 9766, 976609-1-10 (2016) doi: 10.1117/12.2208915
  2. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. V. Maximov, N. Yu. Gordeev, N. A. Kaluzhniy, S. A. Mintairov, A. S. Payusov, Yu. M. Shernyakov, Optical Mode Engineering and High Power Density per Facet Length (>8.4 kW/cm) in Tilted Wave Laser Diodes, Proc. of SPIE Vol. 9766, 97330P-1-8 (2016) doi: 10.1117/12.2209616
  3. .В. Крыжановская, М.В. Максимов, С.А. Блохин, М.А.Бобров, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, Ю.М. Задиранов, А.А. Липовский, Э.И. Моисеев, Ю.В. Кудашова, Д.А. Лившиц, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм, ФТП, 50(3), 393-397 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616030131
  4. .Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, М.А. Калитеевский, К.А. Иванов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, Ж.И. Алфёров, Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона, ФТП 50(5), 674-678 (2016). Doi: 10.1134/S1063782616050262
  5. N. Kryzhanovskaya, E. Moiseev, Yu. Kudashova, F. Zubov, M. Kulagina, S. Troshkov, Yu. Zadiranov, D. Livshits, M. V. Maximov, A. Zhukov, High-temperature continuous wave operation (up to 100°C) of InAs/InGaAs quantum dot electrically injected microdisk lasers, Proc. of SPIE Vol. 9767 97670J-1-6 (2016). doi:10.1117/12.2208322
  6. V V Korenev, S S Konoplev, A V Savelyev, Yu M Shernyakov, M V Maximov, A E Zhukov, Quantum dot laser optimization: selectively doped layers, J. Phys. Conf. Ser. 741 (2016) 012075 doi:10.1088/1742-6596/741/1/012075.
  7. E I Moiseev, Yu S Polubavkina, N V Kryzhanovskaya, M M Kulagina, Yu M Zadiranov, M V Maximov, F E Komissarenko, T Kaplas, Yu P Svirko, M Silvennoinen, A A Lipovskii, F I Zubov, A E Zhukov, Electrically pumped microdisk lasers with semitransparent conducting pyrolytic carbon film, J. Phys. Conf. Ser. 741 (2016) 012076 doi:10.1088/1742-6596/741/1/012076
  8. F I Zubov, S P Gladii, Yu M Shernyakov, M V Maximov, E S Semenova, I V Kulkova, K Yvind, A E Zhukov, 1.5 μm InAs/InGaAsP/InP quantum dot laser with improved temperature stability J. Phys. Conf. Ser. 741 (2016) 012109 doi:10.1088/1742-6596/741/1/012109
  9. N V Kryzhanovskaya, A E Zhukov, M V Maximov, E I Moiseev, Yu S Polubavkina, M M Kulagina, S I Troshokov, Yu A Guseva, A A Lipovskii, R Isoaho, T Niemi, M Guina, Compact microdisk cavity laser with GaInNAs/GaAs quantum well, J. Phys. Conf. Ser. 741 (2016) 012110 doi:10.1088/1742-6596/741/1/012110
  10. Levon V Asryan, Fedor I Zubov , Natalia V Kryzhanovskaya, Mikhail V Maximov, and Alexey E Zhukov, Lasers with asymmetric barrier layers: A promising type of injection lasers, J. Phys. Conf. Ser. 741 (2016) 012111 doi:10.1088/1742-6596/741/1/012111
  11. Yu S Polubavkina, N V Kryzhanovskaya, E I Moiseev, M M Kulagina, I S Mukhin, F E Komissarenko, Yu M Zadiranov, M V Maximov, A E Krasnok, А А Bogdanov, A E Zhukov, A V Shelaev, Improved emission outcoupling from microdisk laser by Si nanospheres, J. Phys. Conf. Ser. 741 (2016) 012158 doi:10.1088/1742-6596/741/1/012158
  12. А.М. Надточий, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, А.С. Паюсов, S.S. Rouvimov, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения, ФТП 50(9), 1202-1207 (2016). http://journals.ioffe.ru/articles/43532
  13. Ф.И. Зубов, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, Ю.С. Полубавкина, О.И. Симчук, М.М. Кулагина, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, А.А. Липовский, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство, ФТП 50(10), 1425-1428 (2016). http://journals.ioffe.ru/articles/43660
  14. Р.А. Хабибуллин, Н.В. Щаврук, А.Ю. Павлов, Д.С. Пономарев, К.Н. Томош, Р.Р. Галиев, П.П. Мальцев, А.Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Ф.И. Зубов, Ж.И. Алфёров, Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, ФТП 50(10), 1395-1400 (2016). Doi: 10.1134/S1063782616100134
  15. Л.В. Асрян, Ф.И. Зубов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний, ФТП, 50(10), 1380-1386 (2016). http://journals.ioffe.ru/articles/43653
  16. M. V. Maximov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. M. Kulagina, A. E. Zhukov, V. A. Shchukin, and N. N. Ledentsov, Temperature Characteristics of Tilted Wave Lasers, Opt. Eng. 55(11), 116102 (Nov 10, 2016). doi:10.1117/1.OE.55.11.116102
  17. Kalyuzhnyy, NA; Mintairov, SA; Salii, RA; Nadtochiy, AM; Payusov, AS; Brunkov, PN; Nevedomsky, VN; Shvarts, MZ; Marti, A; Andreev, VM; Luque, A, Increasing the quantum efficiency of InAs/GaAs QD arrays for solar cells grown by MOVPE without using strain-balance technology, PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS 24(9), 1261-1271 (2016) DOI: 10.1002/pip.2789
  18. Shustova, OV; Zhurikhina, VV; Lipovskii, AA; Svirko, YuP, Control of Glass-Metal Composite Optical Nonlinearity via Nanostructuring, PLASMONICS 11(2), 581-585 (2016) DOI: 10.1007/s11468-015-0084-2
  19. Starkov, AS; Starkov, IA, Impact of the flexocaloric effect on polarization in the flexoelectric layer, INTERNATIONAL JOURNAL OF SOLIDS AND STRUCTURES 82, 65-69 (2016) DOI: 10.1016/j.ijsolstr.2015.12.013
  20. Бабичев А.В., Bousseksou A., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Никитина Е.В., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю., Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре, ФТП 50(10), 1320-1324 (2016) http://journals.ioffe.ru/articles/43643
  21. Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Моисеев Э.И., Бобров М.А., Кузьменков А.Г., Блохин А.А., Васильев А.П., Карповский И.О., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Неведомский В.Н., Никитина Е.В., Малеев Н.А., Устинов В.М., Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 mum при оптической накачке, ПЖТФ 42(19), 70-79 (2016) http://journals.ioffe.ru/articles/43766
  22. Rustam A. Khabibullin, Nikolay V. Shchavruk, Aleksandr Yu. Pavlov, Alexey N. Klochkov, Dmitry S. Ponomarev, Igor A. Glinskiy, Petr P. Maltsev, Alexey E. Zhukov, George E. Cirlin, and Zhores I. Alferov, Terahertz Quantum-Cascade Laser Based on the Resonant-Phonon Depopulation Scheme, Int. J. High Speed Electron. & Syst.25(3 & 4) 1640022-1-6 (2016).
  23. N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, M. V. Maximov, A. A. Lipovskii, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, V.-M. Korpijarvi, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, M. V. Lebedev, T. V. Lvova, and A. E. Zhukov, Microdisk lasers based on GaInNAs(Sb)/GaAs(N) quantum wells, J. Appl. Phys. 120, 233103 (2016) DOI: 10.1063/1.4971977
  24. Viktorov, E. A.; Erneux, T.; Kolykhalova, E. D.; Dudelev, V. V.; Danckaert, J.; Soboleva, K. K.; Deryagin, A. G.; Novikov, I. I.; Maximov, M. V.; Zhukov, A. E.; Ustinov, V. M.; Kuchinskii, V. I.; Sibbett, W.; Rafailov, E. U.; Sokolovskii, G. S., Slow passage through thresholds in quantum dot lasers, Phys. Rev. E 94(5), 052208 (2016) DOI: 10.1103/PhysRevE.94.052208
  25. А.Ю.Егоров, Л.Я.Карачинский, И.И.Новиков, А.В.Бабичев, В.Н.Неведомский, В.Е.Бугров, «Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм», Физика и техника полупроводников, т. 50(5), с. 624-627 (2016).
  26. А.Г.Гладышев, И.И.Новиков, Л.Я.Карачинский, Д.В.Денисов, С.А.Блохин, А.А.Блохин, А.М.Надточий, А.С.Курочкин, А.Ю.Егоров, «Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520-1580 нм», Физика и техника полупроводников, т. 50(9), с. 1208-1212 (2016).
  27. Lebedev, MV; Kalyuzhnyy, NA; Mintairov, SA; Calvet, W; Kaiser, B; Jaegermann, W, Comparison of wet chemical treatment and Ar-ion sputtering for GaInP2(100) surface preparation, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 51, 81-88 (2016) DOI: 10.1016/j.mssp.2016.05.005
  28. С.А., Емельянов В.М., Рыбальченко Д.В., Салий Р.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Калюжный Н.А., Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs, ФТП 50(4), 525-530 (2016)
  29. Минтаиров М.А., Евстропов В.В., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Калюжный Н.А., Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель, ФТП 50(7), 987-992 (2016)
  30. Старков А.С., Пахомов О.В., Старков И.А., Электроупругое поле шара, расположенного вблизи плоской поверхности пьезоэлектрика, ЖТФ 86(1), 27-31 (2016).
  31. Starkov, IA.; Starkov, AS., Effective parameters of multilayered thermo-electro-magneto-elastic solids, SOLID STATE COMMUNICATIONS226, 5-7 (2016)
  32. Mintairov, M; Evstropov, V; Shvarts, M; Mintairov, S; Salii, R; Kalyuzhnyy, N, Current Flow Mechanism In GaAs Solar Cells With GaInAs Quantum Dots, AIP Conf. Proc. 1748, 050003 (2016) DOI: 10.1063/1.4954366
  33. И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю., Усилительные свойства "тонких" упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм, ФТП 50(10), 1429-1433 (2016) http://journals.ioffe.ru/articles/43661

 

Конференции 2016 г.

 

  1. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. V. Maximov, N. Yu. Gordeev, N. A. Kaluzhniy, S. A. Mintairov, A. S. Payusov, Yu. M. Shernyakov, Optical Mode Engineering and High Power Density per Facet Length (>8.4 kW/cm) in Tilted Wave Laser Diodes, SPIE PHOTONICS WEST, San Francisco, California, USA, 13–18 February 2016, Paper 9733-24.
  2. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, T. Slight, W. Meredith, N. Yu. Gordeev, A. M. Nadtochy, A. S. Payusov, M. V. Maximov, S. A. Blokhin, A. A. Blokhin, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, and K. D. Choquette, Passive Cavity Surface–Emitting Lasers: Option of Temperature–Insensitive Lasing Wavelength for Uncooled Dense Wavelength Division Multiplexing Systems, SPIE PHOTONICS WEST, San Francisco, California, USA, 13–18 February 2016, Paper 9766-09
  3. N. Kryzhanovskaya, E. Moiseev, Yu. Kudashova, F. Zubov, M. Kulagina, S. Troshkov, Yu. Zadiranov, D. Livshits, M. V. Maximov, A. Zhukov, High-temperature continuous wave operation (up to 100°C) of InAs/InGaAs quantum dot electrically injected microdisk lasers, SPIE Photonics West 2016 (San Francisco, CA, USA, 13 - 18 February 2016), Paper 9767-18
  4. A.V. Savelyev, A. Zhukov, M.V. Maximov, Spatial hole burning, comb spectrum robustness, and intensity noise in quantum dot lasers and microlasers, SPIE Photonics West 2016 (San Francisco, CA, USA, 13 - 18 February 2016), Paper 9742-28.
  5. V V Korenev, S S Konoplev, A V Savelyev, A E Zhukov, M V Maximov, Yu M Shernyakov, F I Zubov, and M M Kulagina, The study of driving parameter of multi-state lasing in semiconductor InAs/InGaAs quantum dot lasers, 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPb OPEN 2016), Saint Petersburg, Russia, March 28-30, 2016, Book of abstracts, pp. 215-216.
  6. E I Moiseev, Yu S Polubavkina, N V Kryzhanovskaya, M M Kulagina, Yu M Zadiranov, M V Maximov, T Kaplas, Yu Svirko, A A Lipovskii, F I Zubov, A E Zhukov, Electrically pumped microdisk lasers with semitransparent conducting pyrolytic carbon film, 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPb OPEN 2016), Saint Petersburg, Russia, March 28-30, 2016, Book of abstracts, pp. 237-238.
  7. S P Gladii, F I Zubov, Yu M Shernyakov, M V Maximov, E S Semenova, K Yvind, A E Zhukov, 1.5 μm InAs/InGaAsP/InP quantum dot laser with improved temperature stability, 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPb OPEN 2016), Saint Petersburg, Russia, March 28-30, 2016, Book of abstracts, pp. 269-270.
  8. Yu S Polubavkina, N V Kryzhanovskaya, E I Moiseev, M M Kulagina, I S Mukhin, F E Komissarenko, Yu M Zadiranov, M V Maximov, A E Krasnok, А А Bogdanov, A E Zhukov, Improved emission outcoupling from microdisk laser by Si nanospheres, 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPb OPEN 2016), Saint Petersburg, Russia, March 28-30, 2016, Book of abstracts, pp. 422-423.
  9. N. Kryzhanovskaya, Eduard Moiseev, Yulia Polubavkina, Mikhail Maximov, Alexey Zhukov,Andrey Lipovskii, Sergey Troshkov, Marina Kulagina, Yury Zadiranov, Ivan Mukhin,AlexanderKrasnok, Аndrey Bogdanov, Tapio Niemi, Mircea Guina, Whispering‐gallery mode microcavity quantum dot lasers: design optimization and lasing parameters (Invited), International Symposium on Optoelectronic Technology and Application (OTA 2016), Beijing, China, May 9-11, 2016.
  10. Р.А. Хабибуллин, К.Н. Томош, Н.В. Щаврук, Д.С. Пономарев, А.Ю. Павлов, Г.Э. Цырлин, Д.Н. Слаповский, А.Е. Жуков, Р.Р. Галиев, Разработка и изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных GaAs/AlGaAs гетероструктур, 7-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ- электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 25.05.2016, Москва.
  11. N.Yu. Gordeev, A.S. Payusov, Yu.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.M. Kulagina, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, Novel approach fortransversemode engineering in edge-emitting semiconductorlasers, TuR3-02, 17th Int Conf “Laser Optics 2016”, St Petersburg, 27 June – 1 July 2016.
  12. N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, F.I. Zubov, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, S.I. Troshkov, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, I.S. Mukhin, F.E. Komissarenko, A.E. Krasnok, A.A. Bogdanov, A.E. Zhukov Whispering-gallery mode microcavity quantum dot lasers: design optimization and lasing parameters (Invited), LOED.01i, 24th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, June 27–July 1, 2016.
  13. F.I. Zubov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind and A.E. Zhukov Study of temperature stability of 1.5 µm InAs/InGaAsP/InP quantum dot laser, LOED.03o, 24th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, June 27–July 1, 2016.
  14. V.V. Korenev, A.V. Savelyev, S.S. Konoplev, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov The key parameter of multi-state lasing in the case of InAs/InGaAs quantum dot laser, LOED.04o, 24th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, June 27–July 1, 2016.
  15. S. Rouvimov, V.N. Jmerik, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.M. Mintairov, A.M. Nadtochiy, A.A. Toropov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov and S.V. Ivanov Transmission electron microscopy of ternary alloy semiconductor nanostructures (Invited), NC.01i, 24th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, June 27–July 1, 2016.
  16. Л.Я.Карачинский, «Активные оптические кабели на основе ВИЛ для высокопроизводительных вычислительных систем и центров обработки данных», Первая конференция по фотонике стран БРИКС, 30-31 мая 2016 г., Сколтех, Москва.
  17. В.Е.Бугров, А.Ю.Егоров, И.И.Новиков, Л.Я.Карачинский, А.К.Михайлов, Е.С.Колодезный, «Разработка компонентной базы радиофотоники для создания современных оптических аналого-цифровых преобразователей», V Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ", 30.05 – 02.06.2016, СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, Санкт-Петербург.
  18. Е.С.Колодезный, А.С.Курочкин, А.Ю.Егоров, А.К.Михайлов, Л.Я.Карачинский, И.И.Новиков, А.В.Бабичев, А.Г.Гладышев, И.М.Гаджиев, Н.Д.Ильинская, М.С.Буяло, В.Е.Бугров, «Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций», V Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ", 30 мая - 2 июня 2016 г., СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, Санкт-Петербург, Россия, т.2, с. 302-306.
  19. V.V. Korenev, A.V. Savelyev, A. E. Zhukov, A. V. Omelchenko, M. V. Maximov, Analytical based approach to the power conversion efficiency optimization in InAs/InGaAs quantum dot lasers, SPIE Photonics Europe, Brussels, Belgium, 4-7 April 2016, paper 9892-61.
  20. Ю.С. Полубавкина, Исследование лазеров со связанными волноводами методом ближнепольной оптической микроскопии, II Всероссийский научный форум «Наука будущего - наука молодых», 20 - 23 сентября 2016, г. Казань.
  21. Э.И. Моисеев, Высокотемпературная лазерная генерация в инжекционных микродисковых резонаторах с активной средой на основе квантовых точек InAs/InGaAs, II Всероссийский научный форум «Наука будущего - наука молодых», 20 - 23 сентября 2016, г. Казань.
  22. Mintairov, M; Evstropov, V; Shvarts, M; Mintairov, S; Salii, R; Kalyuzhnyy, N, Current Flow Mechanism In GaAs Solar Cells With GaInAs Quantum Dots,State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, (STRANN-2016), St Petersburg, 26-29 Apr 2016.
  23. R.A. Khabibullin, N.V. Shchavruk, A.Yu. Pavlov, A.N. Klochkov, D.S. Ponomarev, A.E. Zhukov, G.E. Cirlin, V.A. Gergel, S.A. Nikitov, Design and fabrication of terahertz sources based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures, VI Inty. Conf. “Frontiers of Nonlinear Physics”, Nizhny Novgorod, Russia, July 17-23, 2016.
  24. V. Kanzyuba, S. Rouvimov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, A.M. Nadtochy, TEM Analysis of InGaAs/GaAs Quantum Well-Quantum Dot Structures for Optoelectronics Applications, Paper # 169. Microscopy & Microanalysis 2016 Meeting, July 24-28, 2016, Columbus, Ohio, USA. http://www.microscopy.org/MandM/2016/program/Scientific_Program.pdf
  25. А.А. Серин, Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, Ю. М. Шерняков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, «Торцевые полупроводниковые лазеры с резонансно-связанными волноводами, имеющие высокую стабильность параметров излучения», Международная молодежная конференция ФизикА.СПб, 1-3 Ноября 2016
  26. R.A. Khabibullin, N.V. Shchavruk, A.Yu. Pavlov, A.N. Klochkov, D.S. Ponomarev, I.A. Glinskiy, P.P. Maltsev, A.E. Zhukov, G.E. Cirlin, Zh.I. Alferov, Terahertz Quantum-Cascade Laser Based on the Resonant-Phonon Depopulation Scheme, Paper P-1, 5th Russia-Japan-USA_Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies (RJUSE TeraTech-2016), Oct. 31 – Nov. 4, 2016, Sendai, Japan http://www.otsuji.riec.tohoku.ac.jp/RJUSE-TeraTech-2016/assets/AdvanceProgram.pdf
  27. Ю С, Крыжановская Н.В., Моисеев Э.И., Зубов Ф.И., Максимов М.В., Жуков А.Е., Гордеев Н.Ю., Паюсов А.С., Шерняков Ю.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Кулагина М.М., Исследование лазеров со связанными волноводами методом ближнепольной оптической микроскопии, Международная молодежная конференция ФизикА.СПб (International conference Physica.SPb/2016), Санкт-Петербург 1-3 ноября 2016.
  28. Моисеев Э.И., Крыжановская Н.В., Зубов Ф.И., Полубавкина Ю.С., Кулагина М.М., Задиранов Ю.М.,Липовский А.А., Максимов М.В., Жуков А.Е., Эффективность вывода излучения в свободное пространство и лазерные характеристики микродисковых инжекционных лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs, Международная молодежная конференция ФизикА.СПб (International conference Physica.SPb/2016), Санкт-Петербург 1-3 ноября 2016.
  29. А.Е. Жуков, А.Ф. Зубов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.А. Липовский, А.С. Паюсов, Э.И. Моисеев, Ю.В. Полубавкина, Г.Э. Цырлин, Л.В. Асрян, Е.С. СеменоваПодавление волноводной рекомбинации и улучшение лазерных характеристик с помощью асимметричных барьерных слоев, Полупроводниковые лазеры: физика и технология, 5-й Российский симпозиум с международным участием, Санкт-Петербург, 15-18 ноября 2016. Сборник тезисов, стр. 23.
  30. Ф.И. Зубов, А.В. Иконников, С.В. Морозов, Р.А. Хабибулин, Г.Э. Цырлин, А.Е. Жуков, Разработка и исследование терагерцового (3 ТГц) квантово-каскадного лазера на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур, Полупроводниковые лазеры: физика и технология, 5-й Российский симпозиум с международным участием, Санкт-Петербург, 15-18 ноября 2016. Сборник тезисов, стр. 20.
  31. А.В. Савельев, С.С. Коноплев, В.В. Коренев, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, распределение носителей заряда в активной области лазера с квантовыми точками, Полупроводниковые лазеры: физика и технология, 5-й Российский симпозиум с международным участием, Санкт-Петербург, 15-18 ноября 2016. Сборник тезисов, стр. 46.
  32.  Гордеев, А.С. Паюсов, Ю.М. Шерняков, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, А.А. Серин, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Эффективная пространственная селекция поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах, Полупроводниковые лазеры: физика и технология, 5-й Российский симпозиум с международным участием, Санкт-Петербург, 15-18 ноября 2016. Сборник тезисов, стр. 26.
  33. Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Микролазеры с модами шепчущей галереи (приглашенный), 18-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктурам, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 28 ноября – 2 декабря 2016 г.
  34. Р.А. Салий, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, В.Н. Неведомский, А.Е. Жуков, InAs квантовые точки, выращенные методом МОСГФЭ в GaAs и метаморфной InGaAs матрицах, Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктурам, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 28 ноября – 2 декабря 2016 г.
  35. Ю.С. Полубавкина, Н.Ю. Гордеев, А.С. Паюсов, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, Ф.И. Зубов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.М. Кулагина, Ю.М. Шерняков, М.В. максимов, А.Е. Жуков, Исследование волноводной рекомбинации в лазерах с асимметричными барьерными слоями методом СБОМ, Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктурам, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 28 ноября – 2 декабря 2016 г.