Программа 3-го симпозиума
«Полупроводниковые лазеры: физика и технология».
13− 16 ноября 2012 г., Санкт-Петербург.
13 ноября, вторник
Санкт-Петербургский Академический университет.
Актовый зал.
9:00 – 10.00 Регистрация
10:00 Ж.И. Алферов.
Гетероструктуры в оптоэлектронике: история и тенденции развития.
10:40 О.Н. Крохин.
Роль и место полупроводниковых лазеров в развитии квантовой электроники.
11:10 Ю.М. Попов.
50-летие инжекционного лазера (по материалам юбилейной сессии в Великобритании)
11:40 Е.Л. Портной.
Полупроводниковые лазеры – первое десятилетие.
12:10 Coffee break
Секция «Мощные полупроводниковые лазеры, лазерные линейки и решетки».
12:30 Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Шашкин, Д.А. Веселов, И.С. Тарасов.
Мощные непрерывные и импульсные полупроводниковые лазеры.
12:50 А.А. Мармалюк, А.А. Андреев, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева,
А.С. Мешков, А.Н. Морозюк, С.М. Сапожников, В.А. Симаков, К.Ю. Телегин,
И.В. Яроцкая.
Линейки лазерных диодов (λ=808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs.
13:10 В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О.Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф.Певцов,
Ю. М.Попов, Е. А. Чешев.
Мощные инжекционные лазеры спектральных диапазонов 808, 980 и 1064 нм.
13:30 Обед
14:30 В.П.Коняев, М.В.Зверков, В.В.Кричевский, М.А.Ладугин, А.А.Мармалюк.
Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур.
14:50 В.А. Симаков, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева, А.А. Мармалюк,
А.С. Мешков, С.М. Сапожников.
Многоспектральные решетки лазерных диодов для твердотельных лазеров без принудительной термостабилизации.
15:10 М.А. Ладугин, Ю.П. Коваль,А.А. Мармалюк, В.А. Петровский.
Импульсные лазерные решетки спектрального диапазона 850-870 нм на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с узкими и широкими волноводами.
15:30 Г.И. Рябцев, М.В. Богданович, А.В. Григорьев, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, К.В. Лепченков, А.Г. Рябцев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов,
М.А. Щемелев.
Оптимизация параметров мощных лазерных диодных линеек для накачки твердотельных лазеров.
15:50 Coffee break
Секция «Полупроводниковые лазеры видимого и УФ диапазонов».
16:10 Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин, И.В. Седова, С.В. Гронин, С.В. Иванов.
Полупроводниковый A3N-А2В6 лазерный микрочип-конвертер желто-зеленого спектрального диапазона.
16:30 В.Н. Жмерик, Д.В. Нечаев, А.А. Торопов, Т.В. Шубина, Е.А. Шевченко,
В.В. Ратников, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, Е.В. Луценко, Н.В. Ржеуцкий,В.Н. Павловский, Г.П. Яблонский, С.В. Иванов.
Лазерные AlGaN гетероструктуры с оптическим возбуждением для глубокого ультрафиолетового диапазона.
16:50 С.В. Гронин, С.В. Сорокин, И.В Седова, Г.В. Климко, С.В. Иванов,
Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Г.П. Яблонский.
Лазерные гетероструктуры ZnMgSSe с квантовыми точками CdSe для высокоэффективных сине-зеленых лазерных конвертеров A2B6/A3N.
14 ноября, среда
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе.
Зал им.В.Е Голанта (корпус «Туман»).
Секция «Физические процессы в полупроводниковых лазерных структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами».
10:00 В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.Н. Яблонский
Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах.
10:20 З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян
Влияние захвата электронов и дырок в квантовые ямы на характеристики полупроводникового лазера.
10:40 М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, А.Е. Жуков, А.В. Савельев, В.В. Коренев,
Ф.И. Зубов, Н.Ю. Гордеев, Д.А. Лившиц
Подавление генерации через возбужденное состояние в лазерах на квантовых точках путем модулированного легирования активной области.
11:00 А.В. Савельев, М.В. Максимов, А.Е. Жуков
Выжигание пространственных дыр и стабильность многомодового излучения лазеров с квантовыми точками.
11:20 Coffee break
11:40 Е.А. Аврутин, Б.С. Рывкин
Нелинейное сопротивление волноводного слоя мощных полупроводниковых лазеров: аналитическая модель и влияние на характеристики прибора.
12:00 С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин,
А.А. Дубинов
Модовая структура в дальнем поле излучения лазера с выходом излучения через подложку.
12:20 В.А. Кукушкин.
Наногетеролазер с ненапряжёнными квантовыми ямами, генерирующий в основном ТМ-поляризованное излучение.
12:40 Л.А. Кулакова, Н.С. Аверкиев
Диагностика тонкого спектра в квантовой яме лазерных гетероструктур ультразвуковой деформацией.
13:00 Обед
13:30 – Экскурсия
15 ноября, четверг
Санкт-Петербургский Академический университет.
Актовый зал.
Секция «Различные конструкции полупроводниковых лазеров».
10:30 М.С. Буяло, И.М. Гаджиев, А.Ю. Егоров, Н.Д. Ильинская, Е.Л. Портной.
Две области существования пассивной синхронизации мод в лазерах со связанными квантовыми ямами.
10:50 С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, А.Ю. Лешко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин,
И.С. Тарасов.
Полупроводниковые модуляторы мощного лазерного излучения на основе принципов внутрирезонаторных модовых переключений.
11:10 В. П. Дураев, С. В. Медведев
Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры.
11:30 А.А. Ангелуц, М.Г. Евдокимов, В.Г. Тункин, А.П. Шкуринов, С.Ю. Саркисов,
В.В. Безотосный, М.В. Горбунков, А.Л. Коромыслов, М.С. Кривонос, Е.А. Чешев.
Генерация разностной частоты 1,63 ТГц излучения двухчастотного Nd:YLF лазера в кристале GaSe.
11:50 Coffee break
12:10 В.И. Козловский, О.Г. Охотников.
Непрерывный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInAs/GaAs с накачкой электронным пучком.
12:30 А.А. Донцов, А.М. Монахов, Н.С. Аверкиев.
Моды шепчущей галереи в неидеальных дисковых резонаторах.
12:50 Ю.П. Яковлев, В.В. Шерстнев, А.М. Монахов, M.И. Ларченков,
Е.А. Гребенщикова, А.Н. Баранов.
Перестраиваемые по частоте полупроводниковые лазеры на модах шепчущей галереи.
13.10 Е.А. Гребенщикова, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, В.В. Шерстнев,
А.М. Монахов, Ю.П. Яковлев.
Методы получения высокодобротных резонаторов для лазеров на модах шепчущей галереи (WGM-лазеров).
13:30 Обед
Секция «Квантово-каскадные лазеры»
14:30 А.А. Богданов, Р.А. Сурис
Теоретический анализ потерь на свободных носителях в квантовом каскадном лазере.
14:50 М.П. Теленков, Ю.А. Митягин, П.Ф. Карцев.
Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцового диапазона между уровнями ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs в наклонном магнитном поле.
15:10 Г.Г. Зегря, Н.В. Ткач, И.В. Бойко, Ю.А. Сети
Коротковолновые λ ~ 3-4 мкм квантово каскадные лазеры, работающие при температурах до 400 К.
15:30 К.В. Малышев.
Терагерцовый лазер на квазипериодических сверхрешетках.
15:50 Coffee break
Секция «Исследования полупроводниковых лазерных и диэлектрических структур».
16:10 Е.В. Лебедок, Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, В.В. Кабанов, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев.
Влияние содержания индия на свойства дефектов в соединениях InGaAs, InGaN.
16:30 М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.М. Бойко, С.Г. Конников.
Доменная структура рабочего материала лазеров на основе GaN/SiC.
16:50 В.П. Дзюба, Ю.Н. Кульчин, В.А. Миличко.
Аномальная оптическая нелинейность диэлектрических наносистем.
Деформирование формы наносферы и квантово-размерные состояния частицы в ней.
18:30 Конференционный ужин.
16 ноября, пятница
Санкт-Петербургский Академический университет.
Актовый зал.
Секция «Вертикально-излучающие полупроводниковые лазеры».
11:00 С.А. Блохин, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев,
Д. Лотт, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг.
Надежные ветрикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для передачи данных на скорости 25 Гбит/с по оптоволокну длиной более 100 м при температуре 85ºС.
11:20 Д.А. Пашкеев, Ю.Г. Селиванов, И.И. Засавицкий.
Лазеры с вертикальным выводом излучения (λ ~ 4 -5 мкм) на основе PbEuTe/EuTe.
11:40 – 14:20 – Стендовая секция
12:40 Coffee break
Секция «Применение полупроводниковых излучателей в биологии и медицине».
13:00 Г.Ю. Сотникова, С.Е. Александров, Г.А. Гаврилов, А.А. Капралов.
А.Л. Тер-Мартиросян.
Встроенная система контроля температуры объекта, нагреваемого излучением мощных твердотельных, волоконных или диодных лазеров с волоконным выходом.
13:20 С.Н.Лосев, В.В.Дюделев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, В.Сиббет, Э.У.Рафаилов, Г.С.Соколовский.
Оптический захват и манипулирование биологическими объектами при помощи нерасходящихся (Бесселевых) лучей полупроводниковых лазеров.
13:40 И.В. Куликова, С.П. Малюков.
Разработка модели взаимодействия лазерного излучения с биологическими тканями.
14:00 В.В. Безотосный, С.Д. Захаров, Е.А. Чешев, А.С. Юсупов.
Применение диодных лазеров в светокислородной терапии рака.
Закрытие симпозиума.
14:20 И.С. Тарасов.
Итоги симпозиума.
Молодежная стендовая секция (16 ноября, пятница 11:40 – 14:20).
1. Е.А. Артемов, А.С. Артёмов.
Наносовершенная поверхность подложек и мишеней для создания полупроводниковых лазеров.
2. Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк.
Гетероструктуры InGaAs/GaAsP/AlGaAs (λ=1030-1060 нм) с компенсирующими слоями GaAsP.
3. Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица,
С.М. Сапожников, В.А. Симаков, А.В. Соловьева, В.П. Коняев.
Лазерные диоды, линейки и решетки InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.94 мкм.
4. Л.Е. Воробьев, М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов, G. Belenky, L. Shterengas, D. Wang, G. Kipshidze
Концентрация носителей заряда и их разогрев в Sb-содержащих лазерных наноструктурах в режиме спонтанного и индуцированного излучения.
5. А.Г. Войнилович, Е.В. Луценко, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин,
И.В. Седова, С.В. Гронин, С.В. Иванов.
Оптически накачиваемые лазеры на основе гетероструктур с квантовыми точками ZnCdSe/ZnSe, излучающие в желто-зеленом спектральном диапазоне.
6. В.В. Золотарев, В.В. Васильева, Д.А Винокуров, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин,
С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов.
Внутренний брэгговский отражатель с большим периодом для селекции продольных мод в полупровдониковом лазере.
7. Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Л.В. Асрян, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов,
Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семёнова.
Влияние асимметричных барьерных слоев на основные приборные характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью.
8. Е.Д. Колыхалова, В.В. Дюделев, А.Г. Дерягин, В.М. Максимов, А.М. Надточий,
В.И. Кучинский, С.С. Михрин, Д.А. Лившиц, Е.А. Викторов, Т. Эрню,
Г.С. Соколовский.
Задержка включения в лазерах на квантовых точках.
9. В.В. Коренев, А.В. Савельев, А.Е. Жуков, А.В. Омельченко, М.В. Максимов
Многоуровневая генерация в полупроводниковых лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs: теория и эксперимент.
10. Г.А. Варев, В.В. Безотосный, В.А. Олещенко.
Применение мощных лазерных диодов спектрального диапазона 800 -1064 нм в лазерных медицинских аппаратах.
11. Н.В. Ржеуцкий, Е.В. Луценко, В.Н. Павловский, Г.П. Яблонский, Д.А. Нечаев, В.Н. Жмерик, С.И. Иванов.
УФ генерация в AlGaN гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на сапфировых подложках.
12. А.А. Бирюков, Д.Е. Святошенко.
InGaAs/GaAs вертикально излучающие лазеры с оптической накачкой и совмещенным полупроводниковым резонатором.
Стендовая секция (16 ноября, пятница 11:40 – 14:20).
1. А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков.
Эффективность токовой инжекции в полупроводниковых лазерах с волноводом из квантовых ям.
2. А.А. Афоненко, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов
Эффективность вертикального вывода излучения из волновода полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой.
3. В.Г. Днепровский, Г.Я. Карапетьян.
Исследование возможности использования МДПМ структур для охлаждения полупроводниковых лазеров.
4. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, H. Leiste, M. Rinke.
Структурные и оптические свойства мос-гидридных эпитаксиальных гетероструктур на основе AlхGa1-хAs1-y Py.
5. В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, О.Г. Охотников, Ю.П. Подмарьков, Ю.М. Попов, Ю. Раутиайнен, Я.К. Скасырский, М.П. Фролов.
Непрерывный лазер на кристалле Cr2+:CdSe с накачкой полупроводниковым дисковым лазером.
