Центр нанотехнологий
Центр высшего образования
Центр общего образования

RSS-материалНовости Академичecкого университета

26.09.2012

НАУЧНЫЙ СЕМИНАР 31 октября • среда • 16:00 • Конференц-зал СЛК (к. 627)
К. Н. Ельцовд.ф.-м.н., зав. отделом технологий и измерений атомного масштаба, Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва
"Использование сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии для технологических операций атомного масштаба"

25.09.2012

Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество» — VII Петербургская встреча лауреатов Нобелевской премии на тему: «Наука и прогресс человечества» состоится 8–12 октября 2012 года в Санкт-Петербургском научном центре Российской академии наук и Санкт-Петербургском академическом университете — научно-образовательном центре нанотехнологий Российской академии наук (Академический университет).
Форум проводится по инициативе лауреата Нобелевской премии академика Жореса Ивановича Алфёрова, при поддержке Правительства Санкт-Петербурга, СПбНЦ РАН, Академического университета, Фонда поддержки образования и науки (Алфёровского фонда).
Главные темы форума в этом году:
— Энергетика будущего
— Молекулярная биология и медицина
— Новые материалы и нанотехнологии
— Астрофизика
— Информационные технологии
— Экономика XXI века: новые вызовы и перспективы
Подробная информация на сайте: http://scientificforum.spb.ru
Пресс-релиз

21.09.2012

Санкт-Петербургский Академический университет – научно образовательный центр нанотехнологий РАН

АСПИРАНТЫ и СТУДЕНТЫ
1 3.5/28-06/48А аспирант Букатин Антон Сергеевич Разработка микрофлюидной системы для исследования влияния тепловых полей на функционирование биологических объектов в режиме реального времени
2 2.4_29-06_84А аспирант Зубов Фёдор Иванович Исследование влияния асимметричных барьерных слоёв в волноводной области на температурную стабильность лазеров на квантовых точках.
3 2.4/28-06/99А аспирант Клименко Владимир Витальевич Исследование эффективности генерации синглетного кислорода в жидких средах при воздействии ИК лазерного излучения в диапазоне 1260-1280нм
4 2.4/25-06/22А аспирант Коренев Владимир Владимирович Исследование многоуровневой генерации в широкополосных лазерах на квантовых точках с нелегированной и
p-легированной активной областью
5 2.4/28-06/38А аспирант Курин Сергей Юрьевич Разработка технологии создания ультрафиолетовых светодиодов для систем дезинфекции воды и воздуха, оборудования для фотополимеризации
6 2.4_28-06_63А аспирант Мухин Михаил Сергеевич Исследование спинового транспорта в гетеровалентных полумагнитных наноструктурах AlSb/InAs/ZnMnTe
7 2.4_28-06_45А аспирант Петров Василий Александрович Исследование пьезоэлектрических свойств
нитевидных нанокристаллов A3B5 материалов
8 2.4_29-06_89-А аспирант Петров Михаил Игоревич Исследование разрешения процесса электрополевой печати нанокомпозитов для создания оптических и плазмонных волноводов
9 2.4/13-06/02-А аспирант Тимофеева Мария Алексеевна Создание и исследование наноматериалов на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
Кандидаты
1 23_13-07_162-МКН Блохин Сергей Анатольевич Повышение дальности передачи данных сверхскоростных оптических передатчиков диапазона 850 нм в информационно-вычислительных системах
2 29/11-07/92МКН Крыжановская Наталья Владимировна Разработка эффективных излучателей сверхмалого размера на основе наноструктур для будущего поколения кремниевых фотонных интегральных схем.
3 29_12-07_113МКН Кудряшов Дмитрий Александрович Разработка и создание комбинированного проводящего просветляющего покрытия для концентраторных солнечных фотопреобразователей.
4 39_13-07_158-МКН. Мухин Иван Сергеевич Создание микрофлюидного чипа с интегрированным оптическим сенсорным элементом для детектирования биологических объектов
20.09.2012

Программа выступлений
Saturday, September 15
Registration (School-Conference) 13:00 – 15:00

Opening remarks 15:00 – 15:15

Chair: Bushuev V.A., Goray L.I. 15:15 – 16:15
Tutorial Lecture 1
Lec-1 High Resolution X-ray Scattering: A General Probe for Very Different Length Scales (invited)
Brian Keith Tanner
Durham University, United Kingdom

Coffee break 16:15 – 16:30

Tutorial Lecture 2 16:30 – 17:30
Lec-2 Reflectivity and Off-Specular Grazing Incidence Scattering from Surfaces: Theory and Applications (invited)
Sunil Kumar Sinha
University of California, San Diego, USA

Coffee break 17:30 – 17:45

Tutorial Lecture 3 17:45 – 18:45
Lec-3 High-resolution x-ray diffractometry (invited)
Vaclav Holy
Charles University in Prague, Czech Republic

Boat trip & Refreshment 19:00 – 23:00

Sunday, September 16
Registration 08:30 – 18:00

Chair: Zolotoyabko E.., Voloshin A. 09:30 – 10:30
Tutorial Lecture 4
Lec-4 Phase contrast imaging with synchrotron radiation (invited)
Jose Baruchel
European Synchrotron Radiation Facility, France

Coffee break 10:30 – 10:45

Tutorial Lecture 5 10:45 – 11:45
Lec-5 X-ray diffraction topography – an evolving tool (invited)
Juergen Walter Haertwig
European Synchrotron Radiation Facility, France
Tutorial Lecture 6 11:45 – 12:45
Lec-6 Hard X-ray optics for Synchrotron Radiation Beamlines (invited)
Raymond Barrett
European Synchrotron Radiation Facility, France

Lunch (School-Conference) 12:45 – 14:00

Opening ceremony 14:00 – 14:45
Chair: Kyutt R.N, Kovalchuk M.V.

14:15 – 14:45
X-ray diffraction – from the Past to the Future
Kovalchuk M.V.
Kurchatov Institute, Shubnikov Institute of Crystallography

Chair: Shulpina I.L., Haertwig J.W. 14:45 – 16:00
Session 1: X-ray topography

14:45-15:00
Three-dimensional rocking curve imaging (3D-RCI) to measure the effective distortion in the neighbourhood of a defect within a crystal: the example of ice
O1-01 Philip A., Meyssonnier J., Kluender R.T. and Baruchel J.
LGGE, UJF-CNRS UMR 5183, St. Martin d’Hères, France; European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, France

15:00-15:15
X-ray Diffraction Imaging for Prediction of the Propagation Probability of Individual Cracks in Brittle Single Crystal Materials
O1-02 Tanner B.K., Danilewsky A.N., Wittge J., Garagorri J., Elizalde M.R., Allen D., McNally P., Fossati M.C. and Jacques D.
Dept. of Physics, Durham University, UK; Kristallographie, Institut für Geowissenschaften, Universität Freiburg, Germany; CEIT and Tecnun (University of Navarra) San Sebastian, Spain; School of Electronic Engineering, Dublin City University, Ireland; Jordan Valley Semiconductors Ltd, Durham, UK

15:15-15:30
Cleavage, Microcrack Formation and Fracture in Silicon: In-situ X-ray Diffraction Imaging at High Temperature
O1-03 Danilewsky A.N., Wittge J., Ehlers Ch., Jauss T., Kiefl K., Croll A., Allen D. McNally P., Garagorri J., Elizalde M.R., Fossati M.C. and Tanner B.K.
Kristallographie, Institut für Geowissenschaften, Universität Freiburg, Germany; School of Electronic Engineering, Dublin City University, Ireland; CEIT and Tecnun (University of Navarra) San Sebastian, Spain; Dept. of Physics, Durham University, UK
Diffraction laminography applied to 3-dimensional imaging of dislocation networks in silicon wafers
Haenschke, D., Helfen, L., Altapova, V., Moosmann, J., Hamann, E., Wittge, J., Danilewsky, A.N., Baumbach, T.
Karlsruhe Institute of Technology, Germany; Institute for Synchrotron Radiation ANKA, Germany; University Freiburg, Germany

Coffee break 16:00 – 16:15

Chair: Podurets K.M. 16:15 – 17:00
Session 2: Fast tomography

16:15-16:30
O2-01 X-ray microtomography in the study of organic and inorganic materials
Asadchikov V.E. ,Yakimchuk I.V., Buzmkov A.V., Zolotov D.A.
Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Moscow, Russia; Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

16:30-16:45
O2-02 Development of microtomographic in vivo imaging to study lung dynamics at the micrometer scale
Lovric G., Mokso R., Schittny J.C., Roth-Kleiner M., Stampanoni M.
Swiss Light Source, Paul Scherrer Institute, Switzerland; Institute for Biomedical Engineering, ETH Zurich, Switzerland; Institute of Anatomy, University of Bern, Switzerland; Centre Hospitalier Universitaire Vaudois, University of Lausanne, Switzerland

16:45-17:00
O2-03 Effective Regularized Algebraic Reconstruction Technique for Computed Tomography
Prun V.E., Nikolaev D.P., Chukalina M.V., Buzmakov A.V., Asadchikov V.E.
Moscow Institute of Physics and Technology, Russia; Institute for Information Transmission Problems (Kharkevich Institute) RAS, Moscow, Russia; Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RAS, Chernogolovka, Russia; Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Moscow, Russia

29.08.2012


1. Этапы развития физики в первой половине ХХ века
2. Рождение новой физики. Рентгеновские лучи Конрад В. Рёнтген. Макс фон Лауэ
3. Радиоактивность Анри Беккерель. Мария и Пьер Кюри
4. Квантовая теория вещества Макс Планк
5. Фотоэффект. Теория относительности Альберт Эйнштейн
6. Копенгагенская школа квантовой механики Нильс Бор
7. Учёные и учителя физиков ХХ века Арнольд Зоммерфельд. Макс Борн
8. Знаменитые ученики выдающихся физиков ХХ века Вольфганг Паули. Вернер Гейзенберг
9. Волны материи Луи де Бройль Волновая квантовая механика Эрвин Шрёдингер. Поль Дирак
10. Искусственная радиоактивность. Синтез новых радиоактивных элементов Ирен и Фредерик Жолио-Кюри
11. Искусственная радиоактивность. Облучение нейтронами Энрико Ферми
12. Ядерный штурм Отто Ган, Лизе Мейтнер, Роберт Оппенгеймер, И.В. Курчатов

15.06.2012

15 июня 2012 Академический университет принимал рабочую встречу участников инициативы International Research Staff Exchange Scheme (IRSES). Инициатива реализуется в рамках программы Агенства по управлению научными исследованиями Еврокомиссии - Marie Curie Actions. Программа призвана повышать уровень научной мобильности через распределение грантов на стажировки сотрудников научных организаций.

Наш университет посетили еврокомиссары Оливье Данон (Olivier Danon, на фото слева) и Франк Маркс (Frank Marx).

Сотрудники Академического университета - Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский и М. А. Калитиевский - представили научные проекты, над которыми ведется работа с коллегами из Великобритании, Испании, Германии и других стран. Ученые рассказали, что благодаря обмену опытом и использованию технической базы принимающих университетов, им удалось сделать ряд перспективных открытий в области физики наноструктур.
Представители Еврокомиссии высоко оценили результаты работы над проектами и поблагодарили Академический университет за организацию мероприятия.


Участники рабочей встречи
18.06.2012

Вручение диплома Почётного доктора Академического университета академику Александру Юрьевичу Румянцеву
Лекция Почётного доктора

24.05.2012

22 мая 2012 года Президент РФ Владимир Путин принял участие в ежегодном общем собрании Российской академии наук, на котором подведены итоги деятельности Академии в 2011 году и изложил своё видение перспектив развития отечественной науки с учётом задач, стоящих перед обществом и государством. Президент также затронул вопросы финансирования научной деятельности, укрепления материально-технической базы академии и социального положения учёных.

"Нам следует в полной мере задействовать мощный образовательный, наставнический потенциал российских учёных, увеличить количество базовых кафедр, развивать систему научно-образовательных центров, работающих в институтах Академии наук. И я очень прошу обратить внимание на это направление, считаю его важным. Тем более что уже есть успешный опыт партнёрства науки и образования. В качестве примеров приведу Московский государственный университет, Академический университет в Санкт-Петербурге, Математический институт имени Стеклова"

Ссылка на источник


05.05.2012

Кафедра иностранных языков:
• доцент;
• ст. преподаватель.
Кафедра физики и технологии наногетероструктур
• профессор;
• доцент.
Кафедра математических и информационных технологий:
• профессор;
• доцент;
• преподаватель.
Кафедра астрофизики:
• доцент.
Кафедра теоретической физики:
• профессор;
• доцент;
• преподаватель.
Кафедра философии:
• профессор;
Кафедра физики конденсированного состояния
• профессор;
• доцент.
Кафедра нанобиотехнологий:
• профессор;
• доцент.
Лаборатория нанобиотехнологий:
• зав. лабораторией;
• главный научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• младший научный сотрудник;
• научный сотрудник.
Лаборатория наноэлектроники:
• главный научный сотрудник;
• ведущий научный сотрудник;
• старший научный;
• научный сотрудник;
• младший научный сотрудник.
Лаборатория нанофотоники:
• зав. лабораторией;
• ведущий научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник;
• младший научный сотрудник.
Лаборатория физики наноструктур:
• зав. лабораторией;
• главный научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник;
• младший научный сотрудник.
Лаборатория эпитаксиальных нанотехнологий:
• зав. лабораторией;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник.
Лаборатория возобновляемых источников энергии:
• ведущий научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник.

Необходимые документы для участия:
1. Заявление
2. личный листок по учету кадров;
3. автобиография;
4. копии документов о высшем профессиональном образовании;
5. копии дипломов о присуждении ученой степени, присвоении ученого звания (при наличии);
6. сведения о научной (научно-организационной, педагогической) работе за последние пять лет, предшествовавших дате проведения конкурса, включающие
• список научных трудов претендента по разделам;
• публикации в рецензируемых журналах;
• монографии и главы в монографиях;
• статьи в научных сборниках и периодических научных изданиях;
• публикации в материалах научных мероприятий;
• патенты;
• публикации в зарегистрированных научных электронных изданиях;
• препринты;
• научно-популярные книги и статьи;
• другие публикации по вопросам профессиональной деятельности.
o список грантов, контрактов, договоров, в выполнении которых участвовал претендент, с указанием его конкретной роли;
o Сведения о личном участии претендента в научных мероприятиях (съездах, конференциях, симпозиумах и пр.) с указанием статуса представленного доклада (приглашенный, пленарный, секционный, стендовый) и уровня мероприятия (международное, всероссийское, региональное).
o Сведения об участии претендента в подготовке и проведении научных мероприятий.
o Сведения о педагогической деятельности претендента (чтение курсов лекций, проведение семинаров, научное руководство аспирантами и консультирование докторантов, другие виды педагогической деятельности).
o Сведения о премиях и наградах за научную и педагогическую деятельность.
o Сведения об участии претендента в редакционных коллегиях научных журналов.
В конкурсную комиссию может представляться также отзыв об исполнении претендентом должностных обязанностей с последнего места работы, подписанный уполномоченным работодателем должностным лицом. Отзыв должен содержать мотивированную оценку профессиональных, деловых и личностных качеств претендента, а также результатов его профессиональной деятельности.
Заявления и дополнительные документы отправлять ученому секретарю по адресу: 194021,Санкт-Петербург, ул. Хлопина д.8, корп.3. тел. 448-69-80 (доб.56-39)
Срок подачи заявлений - один месяц со дня публикации